説明
低ノイズ極低温アンプ
HEMTテクノロジーに基づいた非常に低いノイズの極低温アンプを提供します。これは、20 mkの非常に低い温度で安定して動作し、AA\/Hz½の非常に低いノイズ電流を達成でき、Sub-NV\/HZ1\/2の非常に低いノイズ電圧を特定の周波数で達成できます。科学の4つの論文、自然物理学の4つの論文を含む、関連するユーザーによる数十の高レベルの論文。
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製品機能 |
LTA1：0 。1MHz〜1 GHz |
LTA2：0 。3MHz〜5 GHz |
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RF帯域幅 |
0 。1MHz〜1 gz |
0 。3MHz〜5GHz |
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ノイズ図 |
25K@40 K, 15K@4 K |
150 K@300 K |
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ノイズ図 |
{{0}}}。36 dB@40 k、0.2 dB@4 k |
1.8 dB@300 K |
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得 |
35 dB@4 k、＞ 30 dB@77 K |
35db@77 K |
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動作温度 |
4 k〜325k |
4 k〜325 k |
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典型的なDCパワー |
3.5V\/6MA |
3 v\/25 ma |
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RFコネクタ |
SMA（女性） |
SMA（女性） |
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DCコネクタ |
3-ピン、2.54mm |
パラメーター
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VDS |
分 |
0 |
0 |
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マックス |
4 V |
4 V |
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典型的な |
3.5 V |
3 V |
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IDS |
分 |
/ |
/ |
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マックス |
30 Ma |
40 Ma |
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典型的な |
6mA@3.5V |
25 mA@3V |
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VGS |
分 |
/ |
/ |
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マックス |
/ |
/ |
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典型的な |
/ |
/ |
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RF入力電源 |
-10 dbm |
-10 dbm |
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動作温度 |
分 |
4 K |
4 K |
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マックス |
325 K |
325 K |
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ESD評価（HBM） |
+2000 v（クラス2） |
